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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSZ086P03NS3 G

BSZ086P03NS3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 20:03:40 查看 閱讀�26

BSZ086P03NS3 G 是一款基于硅材料制造的 N 沃特肖特基二極管,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等需要高效整流和低損耗的�(chǎng)景。該器件具有超低正向壓降和快速恢�(fù)�(shí)間的特點(diǎn),適合高頻電路設(shè)�(jì)。其封裝形式通常� TO-252(DPAK),能夠提供良好的散熱性能�
  這款二極管主要面向消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及汽車(chē)電子等領(lǐng)�,適用于要求高效率、高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大重�(fù)峰值反向電壓:30V
  正向電流(If)�8A
  正向壓降(Vf)�0.45V@8A
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�17ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  熱阻(�(jié)到殼)�35�/W

特�

BSZ086P03NS3 G 的主要特�(diǎn)是具備極低的正向壓降 (Vf),這可以顯著減少導(dǎo)通時(shí)的能量損�,并提升整體系統(tǒng)效率。此�,它還擁有非常短的反向恢�(fù)�(shí)� (trr),使其能夠在高頻�(huán)境下保持�(wěn)定表�(xiàn)�
  同時(shí),該二極管支持較高的工作溫度范圍 (-55� � +175�),適�(yīng)多種極端條件下的使用需�。得益于 DPAK 封裝形式,它可以有效降低熱阻并增�(qiáng)散熱能力,從而�(jìn)一步提高可靠��
  另外,由于采用肖特基技�(shù),此器件不存在少�(shù)載流子存�(chǔ)效應(yīng),因此在高頻�(kāi)�(guān)電路中表�(xiàn)出色,非常適合于�(xiàn)代電力電子設(shè)備的�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

BSZ086P03NS3 G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流和續(xù)流二極管�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的 freewheeling 保護(hù)功能�
  3. 太陽(yáng)能逆變器及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的高效整流�
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如車(chē)載充電器、LED �(qū)�(dòng)器等�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的各�(lèi)功率�(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

MBR8U30T3G, SS8U30AL

bsz086p03ns3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz086p03ns3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ086P03NS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.9V @ 105µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs57.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4785pF @ 15V
  • 功率 - 最�69W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ086P03NS3 G-NDSP000473024