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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD18510KCS

CSD18510KCS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:41:15 查看 閱讀�21

CSD18510KCS 是一款由德州儀� (TI) 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 D2PAK-7 封裝,適用于高頻�(kāi)�(guān)和大電流�(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電機(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載切換等�(chǎng)��
  該芯片的主要特點(diǎn)是其卓越的熱性能和電氣特性,能夠支持較高的持�(xù)電流輸出,并在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)。此�,CSD18510KCS 的快速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合需要高效能和低損耗的�(yīng)用�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  工作溫度范圍�-55°C � 175°C
  封裝類型:D2PAK-7

特�

CSD18510KCS 的設(shè)�(jì)旨在提供高效的功率轉(zhuǎn)換和出色的熱管理能力。其低導(dǎo)通電阻確保了在高電流操作�(shí)的最小功耗,同時(shí)快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�。該器件還具備強(qiáng)大的雪崩能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì),能夠承受瞬�(tài)電壓和電流沖��
  此外,CSD18510KCS 的高�(jié)溫能力使其適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)�,而其 D2PAK-7 封裝則提供了良好的散熱路�,�(jìn)一步增�(qiáng)了其在高功率�(yīng)用中的可靠�。這些特點(diǎn)共同使得 CSD18510KCS 成為工業(yè)和汽車領(lǐng)域中許多高要求應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

CSD18510KCS 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)
  4. 電動(dòng)車輛 (EV) 和混合動(dòng)力車� (HEV) 的逆變�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  6. 高效功率模塊
  由于其出色的性能和可靠�,這款功率 MOSFET 在需要高性能和高效率的場(chǎng)合表�(xiàn)出色�

替代型號(hào)

CSD18503Q5A, IRF3205, FDP15N10

csd18510kcs推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd18510kcs參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�10,000Factory查看交期
  • �(jià)�1 : �16.85000管件
  • 系列NexFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)200A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.7 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)75 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)11400 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220-3
  • 封裝/外殼TO-220-3