時間：2025/5/20 15:31:14
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FHW1210IF180JST 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件，專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高擊穿電壓的特點(diǎn)，適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信設(shè)備和工業(yè)電子等領(lǐng)域。
該芯片采用了先進(jìn)的封裝工藝，能夠顯著降低寄生電感和熱阻，從而提升整體系統(tǒng)性能。
型號：FHW1210IF180JST
類型：功率MOSFET
材料：氮化鎵（GaN）
最大漏源電壓（Vds）：600 V
最大連續(xù)漏極電流（Id）：30 A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：18 mΩ
柵極閾值電壓（Vgs(th)）：2.5 V
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
FHW1210IF180JST 具備卓越的電氣性能，其主要特點(diǎn)包括：
1. 高擊穿電壓（600V），可滿足高壓應(yīng)用需求。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（18mΩ），減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)特性，支持高頻工作模式，適合高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能，增強(qiáng)器件的可靠性和穩(wěn)定性。
5. 良好的熱性能，確保在高功率密度條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 小巧的封裝尺寸，節(jié)省電路板空間，簡化設(shè)計復(fù)雜度。
這些特性使得FHW1210IF180JST成為需要高效能和緊湊設(shè)計的電源系統(tǒng)的理想選擇。
FHW1210IF180JST 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和逆變器。
3. 通信電源系統(tǒng)。
4. 新能源汽車充電模塊。
5. 太陽能逆變器。
6. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高性能電源適配器。
其高頻開關(guān)特性和低損耗使其特別適合對能效要求較高的應(yīng)用場景。
FHW1210IF150JST
FHW1210IF200JST
GAN041-650WSA
