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CSD17552Q3A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 16:17:12 查看 閱讀�28

CSD17552Q3A 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 灃道場效�(yīng)晶體管(NFET)。該器件采用先進的工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這種 MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及便攜式電子�(shè)備中的電源管��
  該器件設(shè)計注重優(yōu)化開�(guān)性能和熱效率,同時提供出色的可靠性和耐用�。CSD17552Q3A 的封裝形式為小外形晶體管封裝(SOT�,有助于節(jié)省電路板空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�19A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.4mΩ
  柵極電荷�16nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝類型:SOT-23

特�

CSD17552Q3A 具有非常低的�(dǎo)通電�,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�。此�,其快速的開關(guān)速度使得它適合高頻開�(guān)�(yīng)�,例如降壓或升壓�(zhuǎn)換器。該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和耐熱能力,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)運行�
  它的緊湊� SOT-23 封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計,同時保持了較高的電氣性能。由于采用了先進的硅技�(shù),CSD17552Q3A 在動�(tài)和靜�(tài)條件下均表現(xiàn)�(yōu)異,可有效減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

�(yīng)�

CSD17552Q3A 廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、工�(yè)�(shè)備和通信�(lǐng)�。典型的�(yīng)用場景包括:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器的高端和低端開關(guān)
  - 筆記本電腦和智能手機的電源管理模�
  - LED �(qū)動器和電機控�
  - 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率,該器件是需要高性能功率管理解決方案的理想選��

替代型號

CSD18502Q5A, CSD17570Q5A

csd17552q3a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價

csd17552q3a資料 更多>

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csd17552q3a參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�10,000Factory查看交期
  • 價格1 : �7.31000剪切帶(CT�2,500 : �3.32704卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)15A(Ta),60A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)6 毫歐 @ 11A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)12 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2050 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.6W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-SON�3.3x3.3�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN