時(shí)間：2025/5/23 16:24:04
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CDR33BP122BKZMAT是一款基于碳化硅（SiC）技術(shù)的MOSFET功率器件，主要應(yīng)用于高電壓、高效率的電力電子系統(tǒng)。該器件采用了先進(jìn)的溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具備較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，適合在高頻開關(guān)條件下使用。其封裝形式為TO-247-4L，能夠提供良好的散熱性能和電氣連接穩(wěn)定性。
該器件適用于工業(yè)電源、光伏逆變器、電動汽車充電設(shè)備以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：56A
導(dǎo)通電阻：33mΩ
柵極電荷：230nC
輸入電容：1800pF
工作溫度范圍：-55℃ to 175℃
CDR33BP122BKZMAT具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能。它采用碳化硅材料，使得器件能夠在更高的結(jié)溫和開關(guān)頻率下運(yùn)行，同時(shí)保持較低的能量損耗。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少傳導(dǎo)損耗，而優(yōu)化的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)則降低了開關(guān)損耗。
此外，這款MOSFET還具備快速的開關(guān)速度和抗雪崩能力，確保在異常工作條件下的可靠性。結(jié)合其四引腳TO-247封裝，可有效降低寄生電感的影響，從而提升整體系統(tǒng)的性能。
該器件的設(shè)計(jì)考慮了電磁兼容性和安全性要求，適用于對能效和可靠性有嚴(yán)格需求的高端應(yīng)用環(huán)境。
CDR33BP122BKZMAT廣泛用于各種高功率密度和高效率的電力電子系統(tǒng)中。典型應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)電源模塊
2. 光伏逆變器
3. 不間斷電源（UPS）
4. 電動汽車車載充電器
5. DC-DC轉(zhuǎn)換器
6. 風(fēng)力發(fā)電變流器
7. 電機(jī)驅(qū)動控制
由于其卓越的性能表現(xiàn)，該器件特別適合需要頻繁切換、高負(fù)載電流以及高溫環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用場合。
CDR33BP122BZMAT, C2M0080120D, SCT3050KE
