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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > CSD17551Q5A

CSD17551Q5A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 21:05:53 查看 閱讀�33

CSD17551Q5A 是一款由德州儀器(TI)生產的 NexFET 功率 MOSFET。該器件采用先進的制程技術制�,具有低導通電� (Rds(on)) 和高效率的特�,適用于多種電源管理應用,如 DC-DC 轉換�、負載開關和電機驅動�。其�(yōu)化的封裝設計和電氣性能使其成為高性能功率轉換的理想選��

參數

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏電流:42A
  導通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�39nC
  總熱阻(結到殼)�0.7°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � 150°C

特�

CSD17551Q5A 提供了出色的導通電阻與柵極電荷�,確保了低損耗和高效運行。此�,它還具有快速開關能力,可降低開關損��
  該器件采用了符合行業(yè)標準的小型封�,有助于簡化 PCB 設計并減少整體解決方案尺��
  其堅固的設計和廣泛的溫度范圍適應�,使 CSD17551Q5A 非常適合各種惡劣�(huán)境下的應��

應用

該功� MOSFET 廣泛應用于筆記本電腦適配�、服務器電源、通信電源以及電動工具等設備中的功率轉換和控制電路。此�,它還可用于電池管理系統(tǒng)(BMS�、電機驅動和 LED 照明領域�

替代型號

CSD18541Q5A, CSD17560Q5A, IRF7843

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csd17551q5a參數

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.8 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1272pF @ 15V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-30612-6