MMBD330T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供� NPN 型小信號(hào)晶體�。該晶體管主要應(yīng)用于高頻放大�、開(kāi)�(guān)電路和一般用途的模擬及數(shù)字電路設(shè)�(jì)�。它采用 SOT-23 封裝,體積小巧,適合高密度電路板�(shè)�(jì)。此器件具有較高的增益(β值)和低噪聲特性,能夠滿足�(duì)性能要求較高的應(yīng)用需��
MMBD330T1G 的設(shè)�(jì)使其能夠在寬廣的工作頻率范圍�(nèi)提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),同�(shí)具備較低的飽和電�,非常適合于高速開(kāi)�(guān)和低功耗應(yīng)��
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
集電極最大電流:200mA
直流電流增益(hFE):100�400
功率耗散�350mW
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:SOT-23
MMBD330T1G 晶體管以其緊湊的�(shè)�(jì)和優(yōu)異的電氣性能著稱。以下是其主要特性:
1. 高增益范圍(100 � 400),適用于各種需要穩(wěn)定增益的�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 支持高達(dá) 30V 的集電極-�(fā)射極擊穿電壓,保證在較高電壓�(huán)境下的可靠��
3. 極低的飽和電�,可有效減少功率損耗并提高效率�
4. 工作溫度范圍廣泛,從 -55°C � +150°C,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境�
5. SOT-23 封裝形式,便于表面貼裝技�(shù)(SMT)使用,節(jié)省空間并提升裝配效率�
6. 適用于高頻電路設(shè)�(jì),提供穩(wěn)定且快速的�(kāi)�(guān)能力�
MMBD330T1G 主要用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. 音頻放大器和射頻放大器中的小信號(hào)放大功能�
2. �(shù)字邏輯電路中的開(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 脈沖寬度�(diào)制(PWM)控制器中的�(qū)�(dòng)元件�
4. �(wěn)壓器或電源管理模塊中的輔助晶體管�
5. 傳感器接口電路中的信�(hào)�(diào)節(jié)元件�
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的控制電��
MMBT3904LT1, 2N3904, BC847B