時間：2025/5/21 13:31:08
閱讀：13
CRST090N12N是一款基于氮化鎵（GaN）技術的功率晶體管，采用先進的增強型場效應晶體管（eGaN? FET）設計。該器件具有低導通電阻和快速開關性能，適用于高效率、高頻應用場合。
其封裝形式為DFN8（2mmx2mm），能夠提供卓越的熱性能和緊湊的設計方案。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器、負載點轉換、電機驅動、LED照明等應用領域。
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流：9A
導通電阻（典型值）：90mΩ
柵極電荷（典型值）：14nC
反向恢復時間：無（由于零反向恢復特性）
工作結溫范圍：-55℃ to +175℃
CRST090N12N的核心優(yōu)勢在于其氮化鎵材料的應用，使得它具備以下特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），能夠在大電流下保持高效運行。
2. 快速的開關速度，減少了開關損耗并支持更高的工作頻率。
3. 零反向恢復電荷（Qrr=0），從而顯著降低了高頻應用中的振鈴現(xiàn)象和開關噪聲。
4. 小尺寸封裝（2mmx2mm DFN8），節(jié)省PCB空間，并具備良好的散熱能力。
5. 支持高結溫操作（最高達+175℃），增強了在惡劣環(huán)境下的可靠性。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設備的需求。
該晶體管主要應用于以下場景：
1. DC-DC轉換器及降壓電路，在消費類電子產品和工業(yè)設備中提升電源轉換效率。
2. 負載點（POL）轉換器，特別適用于服務器、路由器和通信基站中的分布式電源系統(tǒng)。
3. LED驅動電路，為高亮度LED照明提供高效驅動解決方案。
4. 電機控制與驅動，助力小型化和高性能的無刷直流電機（BLDC）控制系統(tǒng)。
5. 充電器和適配器，幫助實現(xiàn)更小體積和更高效率的快充方案。
CRST060N12N, CRST100N12N
