SI9934DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�,具有極低的導通電阻和出色的開關性能,適合用于高頻、高效率的應用場�。其小型化的封裝設計(TSOP6)使其非常適合空間受限的設計�(huán)��
這款 MOSFET 廣泛應用于消費電�、通信設備、計算機外設以及工業(yè)控制等領域中的負載開�、DC/DC 轉換�、電機驅動和電池保護電路等應��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�28A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�19nC
總電容:1040pF
工作結溫范圍�-55� � +175�
SI9934DY-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 僅為 1.5mΩ,可顯著降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高效的開關性能,柵極電荷僅� 19nC,適用于高頻應用場景�
3. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在高達 175� 的結溫下正常工作�
4. 小巧� TSOP6 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式設備和高密度設計�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該芯片的應用領域非常廣泛,主要包括以下幾個方面:
1. 筆記本電腦及平板電腦中的負載開關和電源管��
2. 高效 DC/DC 轉換器中的同步整��
3. 手機和其他移動設備中的電池保護和充電管理�
4. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動和信號切換�
5. 通信基站和服務器中的電源模塊設計�
SI9934AL-T1-E3, SIH9934DN-E3