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CRST020N06N2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 11:17:23 查看 閱讀�22

CRST020N06N2 是一款基于硅材料� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件適用于多種開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定性等特點(diǎn)。其封裝形式通常� TO-252 (DPAK),能夠滿足工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備的需求�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效的功率傳輸和較低的能量損�,廣泛用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:8.5mΩ
  柵極電荷�13nC
  開關(guān)�(shí)間:典型� t_on=17ns,t_off=49ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

CRST020N06N2 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少功率損耗并提升效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 較高的漏源電壓耐受能力,確保在�(fù)雜電路中的可靠��
  4. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),即使在高溫條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì)有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMT)以�(jiǎn)化生�(chǎn)流程�
  6. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)功能�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)�(cè)開關(guān)�
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于充放電控制和保�(hù)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或續(xù)流二極管替代元件�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和隔離�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的各種功率處理模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP20NF06L
  FDP020N06L

crst020n06n2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)