SZMM3Z10VT1G 是一款基于硅技�(shù)的微� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于低電�、高效率的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能�
其封裝形式為超小� SOT-23 封裝,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)境,同時(shí)提供出色的散熱性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�10mΩ
柵極電荷�4nC
�(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
工作溫度范圍�-55� � 150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,減少了熱損耗�
2. 快速的�(kāi)�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 超小� SOT-23 封裝節(jié)省了電路板空間,�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)布局�
4. 寬泛的工作溫度范圍支持其在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 高可靠性和�(zhǎng)壽命�(shè)�(jì),滿(mǎn)足工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用需求�
1. 手機(jī)和平板電腦中的電源管理模��
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AO3400A
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