CRJT99N65G2F是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于超�(jié)MOSFET系列,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用TO-247封裝形式,具有低�(dǎo)通電�、高耐壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升電路效率并降低能��
其設(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)高效能功率轉(zhuǎn)換的需求,同時(shí)具備良好的熱性能和可靠��
最大漏源電壓:900V
連續(xù)漏極電流�9.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.13Ω
柵極閾值電壓:4V
總功耗:230W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少傳�(dǎo)損�,特別適合于大電流應(yīng)用場(chǎng)��
2. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,支持高頻操��
3. 高擊穿電�,確保在高壓條件下穩(wěn)定運(yùn)��
4. 良好的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫,延長(zhǎng)使用壽命�
5. �(yōu)化的寄生電容�(shè)�(jì),提升了整體系統(tǒng)效率�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 太陽能逆變�
5. 電動(dòng)車充電設(shè)�
6. 工業(yè)控制及自�(dòng)化設(shè)�
由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特性,它非常適合用于高�、高頻環(huán)境下的功率管理解決方案�
CRJT95N65G2F, CRJT99N65G3F