NRVTS10100MFST1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高電子遷移率晶體� (HEMT),由 Navitas Semiconductor 公司生產。該器件專為高頻、高效能的應用場景設�,例如消費類快充適配�、數(shù)�(jù)中心電源和工�(yè)電源轉換系統(tǒng)�。它采用� GaNFast 技�,能夠實�(xiàn)超快速開關和高效率能量轉��
這款晶體管集成了驅動器和保護電路,簡化了設計復雜性并提高了可靠�。此�,其小型化的封裝形式使得其非常適合對空間敏感的應用場��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻:100mΩ
柵極電荷�45nC
開關頻率�2MHz
封裝類型:LFPAK88
工作溫度范圍�-40°C � +150°C
NRVTS10100MFST1G 的主要特點是高效率和高速開關性能。由于使用了氮化鎵材�,它的電子遷移率非常高,從而可以支持更高的開關頻率,同時降低開關損��
該晶體管還具有非常低的導通電�,這有助于減少傳導損耗,尤其是在大電流應用場景中�
另外,內置的驅動器和保護功能進一步增強了其穩(wěn)定性和易用�,使工程師無需額外增加外圍元件即可構建高性能電源解決方案�
最�,其緊湊的封裝形式不僅節(jié)省了 PCB 空間,還改善了熱管理特��
NRVTS10100MFST1G 適用于多種需要高效功率轉換的領域,包括但不限于:
1. USB-C � PD 快速充電器
2. 筆記本電腦和手機充電適配�
3. �(shù)�(jù)中心服務器電�
4. 電信設備中的 AC/DC � DC/DC 轉換�
5. 工業(yè)電機驅動和逆變�
6. 消費電子產品中的電源管理單元
這些應用都依賴于其卓越的效率和高頻工作能力來滿足�(xiàn)代電力電子設備的需求�
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