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CRJQ30N60G2F 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:54:17 查看 閱讀�16

CRJQ30N60G2F是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高電壓和高功率應(yīng)用。該器件采用先進的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合要求高效能和可靠性的電路�(shè)�。其額定電壓�600V,能夠承受較高的漏源電壓,并且具備出色的電流處理能力�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�600V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總功�(Ptot)�348W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
  封裝類型:TO-247

特�

CRJQ30N60G2F擁有較低的導(dǎo)通電�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高效率。同�,它支持快速開�(guān)操作,可以有效降低開�(guān)損��
  該器件具備強大的雪崩能力和魯棒性,確保在異常條件下仍能正常工作�
  此外,其�(yōu)化的熱阻�(shè)計有助于提升散熱性能,延長使用壽��
  這款MOSFET還兼容標(biāo)�(zhǔn)�(qū)動電�,便于集成到各種電力電子系統(tǒng)中�

�(yīng)�

該型號廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)�,例如開�(guān)電源(SMPS)、直流電機驅(qū)�、不間斷電源(UPS)、逆變�、電池保護電路以及電磁閥控制等場�。其高電壓耐受能力和大電流承載能力使其特別適合需要高可靠性及高性能表現(xiàn)的應(yīng)用場��

替代型號

CRJQ30N60G2E, CRJQ30N60G3F

crjq30n60g2f推薦供應(yīng)� 更多>

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