GA1206A271GXEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)流程�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263
GA1206A271GXEBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能力,適用于大功率�(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)性能,能夠滿足高頻開�(guān)需��
4. 出色的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持良好的性能�
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省了PCB板空�,便于布局�(yōu)化�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流MOSFET�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 各類高效能功率管理電路的�(shè)�(jì)�
IRFZ44N
FDP5800
AO3400