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GA1206A271GXEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 12:26:46 查看 閱讀�17

GA1206A271GXEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)流程�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�95nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝形式:TO-263

特�

GA1206A271GXEBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力,適用于大功率�(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)性能,能夠滿足高頻開�(guān)需��
  4. 出色的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持良好的性能�
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省了PCB板空�,便于布局�(yōu)化�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流MOSFET�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
  5. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  6. 各類高效能功率管理電路的�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  AO3400

ga1206a271gxebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-