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CGA6N4C0G2J223JT0Y0N 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 16:43:29 查看 閱讀:11

CGA6N4C0G2J223JT0Y0N 是一款高性能的存儲芯片,屬于 NAND Flash 類型。該芯片廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域,如固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式系統(tǒng)和消費電子設(shè)備等。其采用先進的制程工藝,具備高容量、低功耗和快速讀寫的特點,適合需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景。
  該型號中的部分字母和數(shù)字代表了芯片的具體參數(shù)和特性,例如容量、接口類型、工作溫度范圍等。

參數(shù)

容量:256GB
  接口:PCIe NVMe
  制程工藝:17nm
  工作電壓:1.8V
  最大讀取速度:3500 MB/s
  最大寫入速度:3000 MB/s
  擦寫次數(shù):3000次
  工作溫度:-40°C 至 +85°C
  封裝形式:BGA

特性

CGA6N4C0G2J223JT0Y0N 具有以下主要特性:
  1. 高性能:支持 PCIe NVMe 接口協(xié)議,提供極高的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對速度的需求。
  2. 大容量:單顆芯片即可實現(xiàn)高達 256GB 的存儲容量,減少系統(tǒng)中所需芯片的數(shù)量,優(yōu)化空間利用率。
  3. 低功耗設(shè)計:通過先進的 17nm 制程技術(shù),顯著降低芯片運行時的功耗,延長設(shè)備電池壽命。
  4. 可靠性:擦寫次數(shù)達到 3000 次,適用于一般工業(yè)級和消費級應(yīng)用場景。
  5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠在 -40°C 至 +85°C 的極端環(huán)境下穩(wěn)定運行,適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境需求。

應(yīng)用

CGA6N4C0G2J223JT0Y0N 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲單元,提供高速和大容量的數(shù)據(jù)存儲能力。
  2. 嵌入式系統(tǒng):用于工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和車載系統(tǒng)等領(lǐng)域,滿足對可靠性和性能的要求。
  3. 消費電子產(chǎn)品:如智能手機、平板電腦和數(shù)碼相機等,為用戶提供高效的存儲解決方案。
  4. 數(shù)據(jù)中心:支持企業(yè)級服務(wù)器和存儲系統(tǒng)的高效運作,確保海量數(shù)據(jù)的快速存取。

替代型號

CGA6N4C0G2J223JT0Y0P, CGA6N4C0G2J223JT0Y0Q

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