MCASU21GSB7105KTNA01 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高頻功率放大器芯�,專為高效率和寬帶應用設計。該芯片采用了先進的GaN HEMT工藝,具有卓越的射頻性能、高增益以及出色的線性度,適用于雷達、衛(wèi)星通信、點對點微波鏈路等高性能射頻系統(tǒng)。其封裝形式緊湊,適合空間受限的設計�
型號:MCASU21GSB7105KTNA01
工作頻率范圍�2 GHz � 20 GHz
增益�20 dB
飽和輸出功率�35 dBm
電源電壓�10 V � 28 V
靜態(tài)電流�400 mA
插入損耗:� 1.5 dB
回波損耗:� 15 dB
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:表面貼�
MCASU21GSB7105KTNA01 使用了氮化鎵半導體材�,使其具備比傳統(tǒng)硅基器件更高的擊穿電壓和熱導�,從而實�(xiàn)更高的功率密度和更寬的工作帶��
此外,該芯片�(nèi)置匹配網(wǎng)�,簡化了外部電路設計,同時優(yōu)化了散熱性能以確保長期可靠性�
它的低失真和高效率特性使得它非常適合需要高性能射頻信號放大的應用場��
另外,該芯片支持多級級聯(lián)設計,便于進一步提升系�(tǒng)的整體增益與覆蓋范圍�
這款芯片主要應用于以下領域:
1. 軍用及民用雷達系�(tǒng)
2. �(wèi)星通信設備
3. 點對點微波無線傳�
4. 測試測量儀�
5. 電子對抗設備
6. 高速數(shù)�(jù)鏈路
由于其寬廣的工作頻率范圍和高功率輸出能力,它成為眾多復雜射頻系統(tǒng)中的理想選擇�
MCAW20GSB6915KTNX01
MCPAU22GSB7206KTNA02