CGA3E2C0G2A820J080AA 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)� SiC MOSFET 芯片,基于碳化硅材料制成,具有高耐壓、低導通電阻和快速開�(guān)特�。這款芯片適用于高效率功率�(zhuǎn)換場景,例如工業(yè)�(shè)備中的逆變�、電機驅(qū)動、不間斷電源(UPS)以及太陽能逆變器等。SiC MOSFET 的優(yōu)異性能使其成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET � IGBT 的理想替代方��
該型號屬于羅姆的� 3 代或更新一� SiC MOSFET 系列,其�(shè)計優(yōu)化了開關(guān)損耗和熱性能,能夠滿足嚴苛的電力電子�(yīng)用需��
額定電壓�1200V
額定電流�20A
導通電阻:80mΩ
柵極閾值電壓:3.5V
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝類型:裸芯片
CGA3E2C0G2A820J080AA 具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力�1200V 的額定電壓使其能夠勝任高壓應(yīng)用場�,如電動車充電站和工�(yè)電源系統(tǒng)�
2. 低導通電阻:僅為 80mΩ 的導通電阻降低了導通損�,從而提高了整體效率�
3. 快速開�(guān)速度:由� SiC 材料的獨特性質(zhì),該芯片的開�(guān)頻率遠高于傳�(tǒng)的硅基器件,可以達到�(shù)� kHz 至數(shù)� kHz 的范��
4. 減少寄生電感:作為裸芯片形式提供,極大地減少了封裝引入的寄生電感,適合高頻應(yīng)��
5. 高可靠性:即使在高溫環(huán)境下(最� 175°C),仍能保持�(wěn)定運��
6. �(yōu)� EMI 特性:改進的開關(guān)波形減少了電磁干擾問�,簡化了濾波器設(shè)計�
CGA3E2C0G2A820J080AA 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電機�(qū)動和逆變器:利用其高效功率轉(zhuǎn)換特性來實現(xiàn)更節(jié)能的電機控制�
2. 太陽能逆變器:提高能量�(zhuǎn)換效率并減少熱量�(chǎn)�,支持更緊湊的設(shè)��
3. 不間斷電源(UPS):為關(guān)鍵任�(wù)�(shè)備提供穩(wěn)定高效的電源保護�
4. 電動車充電設(shè)施:用于快速充電樁� DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換模塊中,以支持更高的充電功��
5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器:得益于其快速開�(guān)特性,可實�(xiàn)更高效率的小型化�(shè)��
6. 特種電源:包括焊接設(shè)�、醫(yī)療成像設(shè)備等需要高性能電源的應(yīng)用場景�
RGT2H060KPA_LG, CGTB220J307N