CDR31BP5R6BDZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款MOSFET屬于N溝道類型,適用于高頻開關(guān)�(chǎng)景。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管理�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�52A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�78nC
開關(guān)速度�15ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
CDR31BP5R6BDZMAT具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
2. 高額定電流能�,適合高�(fù)載應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,減小系�(tǒng)尺寸�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下依然保持可靠的性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
6. �(yōu)異的抗電磁干擾能�,確保在�(fù)雜環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的�(dòng)力管理系�(tǒng)�
4. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
5. LED�(qū)�(dòng)器和高亮度照明電��
6. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器模塊�
CDR31BP5R6BDZMAH, IRF540N, FDP5500NL