時間�2025/5/7 13:18:43
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G2007RG1U 是一款高性能� MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）器件，廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等電力電子領域。該型號具有低導通電�、高開關速度和出色的熱穩(wěn)定性等特點，適用于要求高效能和可靠性的電路設計�
最大漏源電壓：650V
最大連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻：0.18Ω
柵極電荷�50nC
開關頻率：最高可� 100kHz
封裝形式：TO-247
G2007RG1U 的主要特點是其低導通電阻和高耐壓能力。它能夠承受高達 650V 的漏源電�，并� 20A 的連續(xù)漏極電流下保持較低的導通損��
該器件采� TO-247 封裝，具有良好的散熱性能，適合功率較高的應用場景。此�，其柵極電荷較小，可以實�(xiàn)快速開�，從而降低開關損��
G2007RG1U 在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能，這得益于其優(yōu)化的芯片結構和先進的制造工��
此外，該器件具備較強的抗雪崩能力和低反向恢復電荷，非常適合需要高頻開關的應用場景�
G2007RG1U 廣泛應用于各類電力電子設備中，包括但不限于以下領域：
- 開關電源（SMPS�
- 電機驅動與控�
- 太陽能逆變�
- 工業(yè)自動化設�
- 不間斷電源（UPS�
- 電動汽車充電裝置
由于其高效率和可靠�，這款 MOSFET 特別適合對能耗和熱管理有嚴格要求的系�(tǒng)�
IRFZ44N
STP30NF06L
FQP27P06
IXYS20N65C3
