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LQW18ANR18G00D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 8:33:30 查看 閱讀：5

LQW18ANR18G00D是一款由羅姆（ROHM）半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的功率MOSFET芯片，主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。
　　此型號(hào)專為要求高電流、高效率以及小尺寸的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，廣泛適用于工業(yè)設(shè)備、通信設(shè)備及消費(fèi)電子領(lǐng)域中的DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路。

參數(shù)

類型：N-Channel MOSFET
　　電壓(Vdss)：18V
　　電流(Id)：134A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.5mΩ
　　柵極電荷(Qg)：46nC
　　結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃
　　封裝形式：LFPAK88-8

特性

LQW18ANR18G00D擁有超低的導(dǎo)通電阻（僅為0.5mΩ），這使得其在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
　　同時(shí)，該器件具備較高的雪崩擊穿能力，增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
　　其優(yōu)化的開關(guān)特性可有效減少開關(guān)損耗，并支持高頻工作，從而滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)小型化和高效化的需求。
　　此外，該芯片還采用了LFPAK88-8封裝，這種封裝方式有助于提高散熱性能，適合高功率密度的設(shè)計(jì)需求。
　　總體而言，LQW18ANR18G00D憑借其卓越的電氣特性和穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在各種高性能應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色。

應(yīng)用

該芯片主要應(yīng)用于需要高效率和大電流處理能力的場(chǎng)景，例如：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件
　　3. 工業(yè)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
　　4. 電信基站的功率管理模塊
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池充電管理
　　LQW18ANR18G00D特別適合那些追求極致能效比和空間利用率的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

LQW18ANR18E00D

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lqw18anr18g00d參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別電感器，線圈，扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQW18A_00
  • 電感180nH
  • 電流140mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型-
  • 容差±2%
  • 屏蔽無(wú)屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最大 2.2 歐姆
  • Q因子@頻率25 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧振1.3GHz
  • 材料 - 芯體-
  • 封裝/外殼0603（1608 公制）
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測(cè)試100MHz