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CDR31BP510BJZMAT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 15:14:55 查看 閱讀:13

CDR31BP510BJZMAT 是一款高性能的功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。
  其封裝形式為 TO-220,適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作。通過優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),CDR31BP510BJZMAT 能夠提供高效的電力轉(zhuǎn)換,并具備良好的穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓:500V
  最大連續(xù)漏極電流:10A
  導(dǎo)通電阻(典型值):0.5Ω
  柵極電荷:35nC
  總功耗:100W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝:TO-220

特性

CDR31BP510BJZMAT 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓達(dá) 500V,適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為 0.5Ω),能夠減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)特性,柵極電荷僅為 35nC,可實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)操作。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),支持高達(dá) 150℃ 的結(jié)溫,適合高溫工作條件。
  5. 封裝堅(jiān)固耐用,采用 TO-220 封裝形式,便于散熱和安裝。
  6. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證,確保長期使用的穩(wěn)定性。
  這些特性使得 CDR31BP510BJZMAT 成為許多工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

CDR31BP510BJZMAT 廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)控制。
  3. 逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
  4. 電池充電器和管理系統(tǒng)。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  由于其優(yōu)異的電氣性能和可靠性,該器件特別適合需要高效率和高穩(wěn)定性的應(yīng)用場景。

替代型號

IRF840A, STP10NK50Z

cdr31bp510bjzmat參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容51 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級-
  • 應(yīng)用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-