時間：2025/5/22 20:02:39
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CDR01BX271BKUS7185 是一款由 ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的高壓功率 MOSFET，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應(yīng)用。該器件采用了先進的制造工藝，具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適合于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消費類電子設(shè)備。
型號：CDR01BX271BKUS7185
類型：N-Channel MOSFET
封裝：TO-220AC
漏源極擊穿電壓(Vds)：700V
連續(xù)漏極電流(Id)：3.6A
柵極閾值電壓(Vgs(th))：4V
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5Ω
總功耗(Ptot)：95W
工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +150°C
存儲溫度范圍(Tstg)：-55°C 至 +175°C
CDR01BX271BKUS7185 是一款高性能的 N 沘道功率 MOSFET，具有以下特點：
1. 高耐壓能力：漏源極擊穿電壓高達 700V，適用于高壓環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻：在額定條件下，導(dǎo)通電阻僅為 3.5Ω，有助于減少導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能：由于其優(yōu)化的電容設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)，降低開關(guān)損耗。
4. 優(yōu)異的熱性能：采用 TO-220AC 封裝，提供良好的散熱性能。
5. 寬工作溫度范圍：能夠在 -55°C 至 +150°C 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
6. 符合 RoHS 標準：環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
這些特性使得 CDR01BX271BKUS7185 成為高壓應(yīng)用的理想選擇。
CDR01BX271BKUS7185 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：用于提高效率和可靠性。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：作為主開關(guān)管，提供穩(wěn)定的輸出電壓。
3. 電機驅(qū)動：控制電機的啟動、停止和速度調(diào)節(jié)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備：如變頻器和伺服驅(qū)動器。
5. 照明系統(tǒng)：例如 LED 驅(qū)動電路。
6. 充電器：包括手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的充電解決方案。
憑借其高電壓能力和低導(dǎo)通電阻，該器件非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
CDR01BX271BKUS7186, FDP5800, IRF840
