MG651110是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)特性和高電流處理能�,能夠顯著提升電路效率并降低功耗�
MG651110采用先�(jìn)的制造工�,能夠在高頻�(yīng)用中保持�(wěn)定性能。其封裝形式通常為TO-220或D2PAK,具體取決于制造商的設(shè)�(jì)選擇�
漏源擊穿電壓�110V
最大漏極電流:65A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�2800pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
封裝形式:TO-220/D2PAK
MG651110具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. 較大的漏極電流容�,可支持高功率負(fù)載�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),便于集成到各種電路板中�
6. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用場(chǎng)景�
MG651110適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)��
2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)和控��
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)管理�
6. LED�(qū)�(dòng)器和照明控制系統(tǒng)�
IRFZ44N
FDP55N10
STP65NF10L