CDB0230QRM 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動以及開�(guān)電路等領�。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高耐壓能力,能夠有效提高系�(tǒng)的效率并減少熱損��
其主要特點包括快速開�(guān)速度、出色的熱性能和高可靠�,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的大電流應用�
型號:CDB0230QRM
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
總功耗(Ptot):140W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
CDB0230QRM 是一款針對高功率密度應用設計� MOSFET 芯片,其低導通電阻可以顯著降低導通損耗,同時具備較高的電流承載能�,確保在大負載條件下保持高效運行�
此外,該芯片擁有�(yōu)異的開關(guān)性能,能夠在高頻條件下實�(xiàn)更低的開�(guān)損�。其堅固的結(jié)�(gòu)設計使其能夠在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,非常適合需要長時間運行的設備�
為了進一步優(yōu)化性能,CDB0230QRM功能,通過高效的散熱路徑減少了溫升問題。這種特性使得它在高功率�(zhuǎn)換器和逆變器中表現(xiàn)尤為突出�
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. 電機�(qū)動器
3. 工業(yè)自動化設�
4. 新能源汽� (EV/HEV) 的電池管理系�(tǒng)
5. DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器
6. 電動工具和家用電器中的功率控制模�
由于其強大的電流處理能力和高效率,這款芯片非常適合要求苛刻的應用場��
CDB0230QRM-A, IRF840, FDP023N06L