CBW322513U600T是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,主要用于高頻開關電�、DC-DC轉換器和電機�(qū)動等應用。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供高效率和低損耗性能,同時具備出色的熱特性和電氣�(wěn)定�。其設計旨在滿足�(xiàn)代電力電子設備對小型化、高效化和高性能的需��
型號:CBW322513U600T
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:13mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復時間:無(GaN特性)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CBW322513U600T采用了最新的氮化鎵半導體材料制造工藝,具有以下特點�
1. 高開關頻率:支持高達幾兆赫茲的開關頻�,適合高頻應用場景�
2. 低導通電阻:�13mΩ的導通電阻確保了極低的傳導損��
3. 出色的熱性能:通過�(yōu)化封裝設計,器件能快速散�,提高了系統(tǒng)的整體可靠��
4. 高效節(jié)能:相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,CBW322513U600T在相同條件下可減少約30%的能量損��
5. 緊湊型設計:采用表面貼裝封裝,節(jié)省PCB空間并簡化安裝流��
該器件適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品領�,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS):用于提升效率和縮小體��
2. DC-DC轉換器:特別是在電動汽車和數(shù)�(jù)中心等需要高效能源轉換的場合�
3. 充電器和適配器:支持快充功能的手機和平板電腦充電器�
4. 電機�(qū)動:為家用電�、工�(yè)設備中的電機提供精確控制�
5. 可再生能源系�(tǒng):例如太陽能逆變器和其他儲能解決方案中作為核心功率處理元��
CBW322515U650T, CBW322510U500T