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CBW100505U801T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:10:06 查看 閱讀�24

CBW100505U801T是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的封裝工�,能夠提供卓越的熱性能和電氣性能,適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電系統(tǒng)等場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是高頻工作能�、低�(dǎo)通電阻以及高效的能量�(zhuǎn)��
  CBW100505U801T芯片�(nèi)部集成了保護(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

型號(hào):CBW100505U801T
  �(lèi)型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5V � 6V
  �(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
  封裝形式:TO-252
  工作溫度范圍�-40� � +150�

特�

CBW100505U801T具有以下顯著特性:
  1. 高開(kāi)�(guān)頻率:由于采用了GaN材料,使得芯片能夠在高頻下高效運(yùn)�,減少了磁性元件體�,有助于�(shí)�(xiàn)更小的系�(tǒng)尺寸�
  2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為80mΩ,降低了功率損耗,提升了整體效��
  3. 熱性能�(yōu)異:先�(jìn)的封裝技�(shù)確保了良好的散熱性能,從而延�(zhǎng)了使用壽��
  4. �(nèi)置保�(hù)功能:具備過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了芯片的魯棒��
  5. 寬工作溫度范圍:支持�-40℃到+150℃的工作�(huán)�,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)��
  6. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基器件,CBW100505U801T的體積更�,非常適合對(duì)空間有限制的�(shè)�(jì)需��

�(yīng)�

CBW100505U801T適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. LED�(qū)�(dòng)�
  6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的快速充電模�
  7. 工業(yè)自動(dòng)化中的電源管理系�(tǒng)
  該芯片憑借其高性能和可靠�,成為上述應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

CSD19536Q5B
  NTMFS4C706
  GXT10065L

cbw100505u801t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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