CBW100505U801T是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的封裝工�,能夠提供卓越的熱性能和電氣性能,適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電系統(tǒng)等場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是高頻工作能�、低�(dǎo)通電阻以及高效的能量�(zhuǎn)��
CBW100505U801T芯片�(nèi)部集成了保護(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
型號(hào):CBW100505U801T
�(lèi)型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5V � 6V
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
封裝形式:TO-252
工作溫度范圍�-40� � +150�
CBW100505U801T具有以下顯著特性:
1. 高開(kāi)�(guān)頻率:由于采用了GaN材料,使得芯片能夠在高頻下高效運(yùn)�,減少了磁性元件體�,有助于�(shí)�(xiàn)更小的系�(tǒng)尺寸�
2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為80mΩ,降低了功率損耗,提升了整體效��
3. 熱性能�(yōu)異:先�(jìn)的封裝技�(shù)確保了良好的散熱性能,從而延�(zhǎng)了使用壽��
4. �(nèi)置保�(hù)功能:具備過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了芯片的魯棒��
5. 寬工作溫度范圍:支持�-40℃到+150℃的工作�(huán)�,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)��
6. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基器件,CBW100505U801T的體積更�,非常適合對(duì)空間有限制的�(shè)�(jì)需��
CBW100505U801T適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. LED�(qū)�(dòng)�
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的快速充電模�
7. 工業(yè)自動(dòng)化中的電源管理系�(tǒng)
該芯片憑借其高性能和可靠�,成為上述應(yīng)用的理想選擇�
CSD19536Q5B
NTMFS4C706
GXT10065L