CBM321611U600T 是一款基于硅技�(shù)的高� MOSFET 芯片,廣泛應用于功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動領域。該器件具有高耐壓、低導通電阻以及快速開關速度的特�,適用于工業(yè)控制、消費電子及汽車電子等領域的多種應用場景�
型號:CBM321611U600T
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vds)�600V
連續(xù)漏極電流(Id)�16A
導通電�(Rds(on))�11mΩ
柵極電荷(Qg)�85nC
工作溫度范圍(Top)�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
CBM321611U600T 具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓(600V�,使其適合于高電壓應用環(huán)境�
2. 極低的導通電阻(11mΩ�,可顯著降低功率損耗并提升效率�
3. 快速開關性能,支持高頻操�,減少磁性元件尺��
4. 強大的雪崩能量能�,提供更高的系統(tǒng)可靠性�
5. �(nèi)置靜電保護功�,增強抗干擾能力�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設計�
這些特點� CBM321611U600T 成為需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)的理想選��
CBM321611U600T 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. 電機�(qū)動器,如變頻空調(diào)、冰箱壓縮機和電動車窗控制系�(tǒng)�
3. 太陽能逆變器中用于 DC/DC � DC/AC �(zhuǎn)換�
4. 工業(yè)自動化設備中的電磁閥和繼電器控制�
5. 電動汽車和混合動力汽車的動力總成系統(tǒng)�
由于其高電壓和大電流處理能力,這款 MOSFET 在各種功率管理場合表�(xiàn)�(yōu)��
CM321611U600T, IRFP460, STP16NF60