C2012C0G1H103JT000N 是一款多層陶瓷電容器 (MLCC),屬于 C 系列,采用 C0G 介質材料。該電容器具有高穩(wěn)定性和低溫度系數(shù)特性,能夠在廣泛的溫度范圍內保持穩(wěn)定的電容值,適用于對穩(wěn)定性要求較高的電路設計。
這款電容器的封裝尺寸為 2012(公制),即長 2.0mm × 寬 1.2mm,并采用了耐焊性鍍層終端以提高焊接可靠性。
封裝:2012
電容值:10nF
額定電壓:50V
介質類型:C0G
溫度系數(shù):±30ppm/°C
工作溫度范圍:-55°C 至 +125°C
耐焊性:符合標準
C2012C0G1H103JT000N 的主要特點是其使用了 C0G 介質材料,這種材料具有極高的穩(wěn)定性,即使在溫度、時間或電壓變化的情況下,電容值的變化也非常小。此外,該型號的電容器還具備以下優(yōu)勢:
1. 高頻率性能:由于較低的有效串聯(lián)電阻 (ESR) 和有效串聯(lián)電感 (ESL),它非常適合高頻應用。
2. 小型化設計:2012 封裝使其成為空間受限設計的理想選擇。
3. 可靠性高:通過優(yōu)化的制造工藝和終端處理,確保其在惡劣環(huán)境下的長期可靠性。
4. 廣泛的工作溫度范圍:支持從 -55°C 到 +125°C 的溫度區(qū)間,適應多種工業(yè)和汽車級應用場景。
該電容器適用于需要高精度和高穩(wěn)定性的場景,例如:
1. 濾波電路:用于電源濾波和信號濾波,能夠有效抑制噪聲。
2. 耦合與去耦:在高速數(shù)字電路中提供穩(wěn)定的去耦效果。
3. 定時電路:作為定時元件,在振蕩器和延時電路中使用。
4. 射頻 (RF) 應用:因其高頻特性和低損耗,常用于射頻前端模塊和無線通信設備。
5. 工業(yè)控制:在自動化設備中實現(xiàn)信號調理和電源管理。
C1608C0G1H103J000N
C2012X7R1H103K000N
C1812C0G1H103K000N