GA1210A561GBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高功率密度�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)自動(dòng)化等�(lǐng)域的�(fù)雜電路系�(tǒng)�
其主要功能是提供高效的電流控制能力,同時(shí)確保在高頻工作條件下的穩(wěn)定性與可靠�。該型號(hào)�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量檢�,符合國際標(biāo)�(zhǔn)�(guī)范,可滿足多種嚴(yán)苛環(huán)境下的使用需��
器件類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�56A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�280W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1210A561GBAAR31G 的顯著特�(diǎn)是其卓越的電氣性能和可靠�。首�,它具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 4.5mΩ,這使得該器件能夠在高電流條件下有效降低傳�(dǎo)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
其次,該 MOSFET 支持高達(dá) 120V 的漏源電�,適用于多種高壓�(yīng)用場景。此�,它的快速開�(guān)特性和低柵極電� (Qg),有助于減少開關(guān)損耗并提高工作效率�
從熱管理角度來看,該芯片采用� TO-247-3 封裝,這種封裝方式不僅提供了良好的散熱性能,還便于集成到各種功率模塊中。最�,其寬廣的工作溫度范� (-55°C � +175°C) 確保了其在極端環(huán)境下依然能夠�(wěn)定運(yùn)行�
GA1210A561GBAAR31G 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及 DC-DC �(zhuǎn)換器:利用其低導(dǎo)通電阻和高效開關(guān)能力,實(shí)�(xiàn)更小體積和更高效率的電源解決方案�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于各類工業(yè)電機(jī)和家用電器中的無刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)�,提供精確的速度控制和強(qiáng)大的�(fù)載能��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服控制器、機(jī)器人系統(tǒng)等需要高精度和大功率輸出的場��
4. 新能源汽車:用于電動(dòng)汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS�、逆變器以及車載充電器等關(guān)鍵組��
5. 光伏逆變器:助力太陽能發(fā)電系�(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換過�,提高發(fā)電效率并減少能量損失�
GA1210A561GBAAR21G, IRF540N, FDP5580