BU4819G-TR 是一款由 ROHM(羅姆)公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型封裝,適合在空間受限的應(yīng)用中使用。它具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和信號切換場景。
BU4819G-TR 的主要特點是其出色的效率和可靠性,使其成為便攜式設(shè)備、消費類電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:2.6A
導通電阻:55mΩ
柵極電荷:7nC
功耗:1.3W
工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃
BU4819G-TR 具有以下顯著特點:
1. 低導通電阻 (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 小型化封裝設(shè)計,節(jié)省 PCB 空間。
4. 高耐熱能力,確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠。
這些特性使 BU4819G-TR 在眾多 MOSFET 器件中脫穎而出,特別適合需要高效能和緊湊設(shè)計的場合。
BU4819G-TR 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦等的負載開關(guān)。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護電路。
5. 工業(yè)設(shè)備中的信號切換與驅(qū)動。
由于其高效的特性和緊湊的尺寸,BU4819G-TR 成為現(xiàn)代電子設(shè)計中的熱門選擇。
BU4819GW-E3