BU34DV7NUX-GE2 是一款由 ROHM(羅姆)生產(chǎn)� N 灃道溝道 MOSFET。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應�。其緊湊的封裝形式使其非常適合空間受限的設計場景�
� MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�、電機驅(qū)動和其他需要高效功率控制的應用��
型號:BU34DV7NUX-GE2
類型:N 楔道 MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導通電阻)�6.5mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):18A
柵極電荷�19nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:HSOP-J8(Exposed Pad�
BU34DV7NUX-GE2 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開關性能,能夠滿足高頻開關應用的需求�
3. 高雪崩擊穿能力和強健的短路耐受能力,提升了器件的可靠性�
4. 小型化封裝設�,節(jié)省了 PCB 空間,同時具備良好的散熱性能�
5. 寬工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
這些特點使得 BU34DV7NUX-GE2 成為眾多功率�(zhuǎn)換和電源管理電路中的理想選擇�
BU34DV7NUX-GE2 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 筆記本電腦和平板電腦中的負載開關�
3. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動和控制�
4. LED �(qū)動器和照明系�(tǒng)�
5. 各種消費類電子產(chǎn)品的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
由于其高效的功率處理能力和緊湊的設計,BU34DV7NUX-GE2 在便攜式設備和空間受限的系統(tǒng)中尤為適用�
BU34DV7NUX-ME2