IRL7472L1TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的雙通道 N 沇道增強型功� MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝,具有低導通電阻和快速開關特性,適用于多種電源管理和電機�(qū)動應��
這款 MOSFET 集成了兩個獨立的 N 沇道晶體管,能夠在高頻條件下實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。其出色的性能使其成為消費電子、工�(yè)控制和通信設備的理想選��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:單通道 15A,總電流 30A
導通電阻(Rds(on)):典型� 4.6mΩ(在 Vgs=10V 時)
柵極電荷:典型� 10nC
開關速度:快速開�
封裝形式:SO-8
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IRL7472L1TRPBF 的主要特性包括:
1. 超低導通電�,能夠顯著降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,支持高頻操作,適合開關電源和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 緊湊� SO-8 封裝設計,便� PCB 布局和散熱管��
4. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. 雙通道�(jié)�(gòu)簡化了多相位或雙負載應用的設��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于焊接加工�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關�
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護和控制電��
3. 電機�(qū)動器中的 H 橋和半橋配置�
4. 工業(yè)自動化設備中的繼電器替代方案�
5. 消費電子�(chǎn)品中的負載切換和電源管理�
6. 電信設備中的高效功率分配�(wǎng)絡�
IRL7472PBF, IRL7472TRPBF