BTR04G02 時(shí)間：2025/5/24 18:03:52 閱讀：17

BTR04G02是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。它廣泛應(yīng)用于需要高效開關(guān)和功率控制的場(chǎng)景，例如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等。該器件采用小型化封裝，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，能夠在高頻應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　最大柵源電壓：±10V
　　連續(xù)漏極電流：2A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：65mΩ
　　總功耗：1W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +150℃

特性

BTR04G02的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗，快速開關(guān)能力確保了在高頻操作中的高效性，同時(shí)具備高靜電放電（ESD）防護(hù)能力以提高可靠性。此外，其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間，適合便攜式和空間受限的設(shè)計(jì)。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和較低的柵極電荷，這使得驅(qū)動(dòng)損耗得以降低，并且能夠更方便地與其他邏輯電路兼容。

應(yīng)用

BTR04G02適用于多種電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開關(guān)電源中的同步整流
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
　　3. 電池保護(hù)和管理電路
　　4. 小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　5. 負(fù)載開關(guān)及過(guò)流保護(hù)電路
　　6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的信號(hào)切換功能