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BSZ105N04NS G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:50:56 查看 閱讀�35

BSZ105N04NS G是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� Vishay 公司� SiZF 系列。該器件采用 SuperSOT-23 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種便攜式設(shè)備中的高效開�(guān)�(yīng)��
  由于其小尺寸封裝和出色的電氣性能,這款 MOSFET 常被用于電源管理電路、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要緊湊型�(shè)計的�(yīng)用場景中�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.65Ω
  柵極電荷�3.7nC
  總功耗:360mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝類型:SuperSOT-23

特�

BSZ105N04NS G 的主要特性包括:
  1. 高效開關(guān)性能:得益于低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,該器件在開�(guān)�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,從而提升整體效��
  2. 快速開�(guān)速度:較低的柵極電荷使其具備快速的開關(guān)能力,非常適合高頻開�(guān)電路�
  3. 小型化設(shè)計:SuperSOT-23 封裝不僅節(jié)省了 PCB 空間,還增強(qiáng)了散熱性能�
  4. 可靠性高:通過�(yán)格的篩選和測試流�,確保器件在各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運��
  5. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � +150� 的結(jié)溫區(qū)�,適�(yīng)多種�(yīng)用場��

�(yīng)�

該型號的典型�(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. 電池供電系統(tǒng)的電源管理�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器和同步整流電��
  4. 各類保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的小型化電源解決方案�

替代型號

Si2303DS, BSS123

bsz105n04ns g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsz105n04ns g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ105N04NSG
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 14µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 20V
  • 功率 - 最�35W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ105N04NSGBSZ105N04NSGINTRBSZ105N04NSGXTSP000388301