AXH016A0X3Z是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于增�(qiáng)型N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。其卓越的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性使其在高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓以及�(yōu)秀的熱性能等特�。這些特點(diǎn)使AXH016A0X3Z成為眾多電力電子�(shè)�(jì)的理想選擇�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):16A
柵極電荷(Qg):28nC
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ
總功耗(Ptot):45W
工作溫度范圍(Tj):-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
AXH016A0X3Z的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓確保了芯片能夠在較高的電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
3. 快速的開關(guān)速度減少了開�(guān)損�,特別適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
4. 具備出色的熱�(wěn)定�,可適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)��
5. 封裝形式緊湊,便于集成到多種電路�(shè)�(jì)��
6. 支持大電流操作,適合高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)��
AXH016A0X3Z廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或開關(guān)管�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率控制單元�
IRF540N
FDP17N60
STP16NF06