日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSZ0909NS

BSZ0909NS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 11:38:57 查看 閱讀�16

BSZ0909NS是一種高性能的N溝道MOSFET晶體�,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)電路�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,非常適合需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
  該器件適用于消費(fèi)電子、通信�(shè)�、工�(yè)控制以及其他�(duì)效率和可靠性要求較高的�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷�14nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 6ns,上升時(shí)� 3ns,關(guān)閉延遲時(shí)� 7ns,下降時(shí)� 3ns

特�

BSZ0909NS的主要特性包括低�(dǎo)通電�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率;高�(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻�(yīng)�;具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)�;小型化的封裝形�,適合空間受限的�(shè)�(jì)需��
  此外,該器件還具有良好的靜電防護(hù)能力,可有效防止因ESD�(dǎo)致的損壞。其低寄生電感和電容也使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

BSZ0909NS廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理模塊以及電池保�(hù)電路等場(chǎng)�。由于其高效的開(kāi)�(guān)特性和低損耗特�(diǎn),特別適合便攜式�(shè)�、服�(wù)器電�、通信基站電源以及其他�(duì)能效有嚴(yán)格要求的�(yīng)�。同�(shí),在多相供電系統(tǒng)中,該MOSFET也可作為�(guān)鍵組件提供穩(wěn)定的電流輸出�

替代型號(hào)

BSZ0906NS
  IRFZ44N
  AO3400

bsz0909ns推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz0909ns參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ0902NS
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ0909NS-NDBSZ0909NSATMA1SP000832568