BSZ0909NS是一種高性能的N溝道MOSFET晶體�,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)電路�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,非常適合需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
該器件適用于消費(fèi)電子、通信�(shè)�、工�(yè)控制以及其他�(duì)效率和可靠性要求較高的�(lǐng)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�14nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 6ns,上升時(shí)� 3ns,關(guān)閉延遲時(shí)� 7ns,下降時(shí)� 3ns
BSZ0909NS的主要特性包括低�(dǎo)通電�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率;高�(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻�(yīng)�;具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)�;小型化的封裝形�,適合空間受限的�(shè)�(jì)需��
此外,該器件還具有良好的靜電防護(hù)能力,可有效防止因ESD�(dǎo)致的損壞。其低寄生電感和電容也使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�
BSZ0909NS廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理模塊以及電池保�(hù)電路等場(chǎng)�。由于其高效的開(kāi)�(guān)特性和低損耗特�(diǎn),特別適合便攜式�(shè)�、服�(wù)器電�、通信基站電源以及其他�(duì)能效有嚴(yán)格要求的�(yīng)�。同�(shí),在多相供電系統(tǒng)中,該MOSFET也可作為�(guān)鍵組件提供穩(wěn)定的電流輸出�
BSZ0906NS
IRFZ44N
AO3400