GA0805A680FBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、快速充電器以及高頻逆變器等�(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具備出色的熱性能和電氣性能。由于其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少能量損��
該型�(hào)集成了驅(qū)�(dòng)電路與保�(hù)功能,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì),并提供了更高的可靠性和�(wěn)定�。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出,適用于需要緊湊設(shè)�(jì)和高性能的場(chǎng)��
額定電壓�650V
額定電流�80A
�(dǎo)通電阻:25mΩ
柵極電荷�90nC
反向恢復(fù)�(shí)間:40ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805A680FBABR31G 的主要特性包括:
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高開�(guān)頻率支持,可�(shí)�(xiàn)更小的磁性元件和濾波電容�(shè)�(jì)�
3. �(nèi)置過(guò)流保�(hù)和過(guò)溫保�(hù)功能,提升系�(tǒng)可靠��
4. 封裝形式為增�(qiáng)散熱能力的表面貼裝類型,易于集成到現(xiàn)代PCB�(shè)�(jì)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)?,靈活性強(qiáng)�
這款芯片適用于多種高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
1. USB PD快充適配�
2. 開關(guān)電源(SMPS�
3. �(shù)�(jù)中心電源模塊
4. 太陽(yáng)能微型逆變�
5. �(wú)線充電設(shè)�
6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
7. 工業(yè)�(jí)高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
GAN080-650B, KFG080R25D6