BSZ067N06LS3G 是一款由 Nexperia(前身為 NXP 的標準產品業(yè)務部)生產的功率 MOSFET,具體屬于邏輯電平驅動的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝,廣泛應用于需要高效能和低導通電阻的場景�。由于其低導通電阻特�,它在開關電�、電機驅�、負載開關等應用中表現出��
BSZ067N06LS3G 在設計時考慮了高效率和低損耗的需�,使其成為現代電子設備的理想選擇,尤其是在便攜式電子產品��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極-源極電壓(Vgs(th)):1V�4V
功耗:209W
工作結溫范圍�-55℃至175�
BSZ067N06LS3G 的主要特性包括超低導通電阻(Rds(on)�,這使得其傳導損耗非常小,非常適合高頻開關應用。此�,其較高的雪崩能量能力增強了器件的魯棒�。邏輯電平驅動設計使� MOSFET 可以直接與大多數微控制器或數字邏輯電路配合使用,而無需額外的驅動電��
其他重要特性還包括�
- 高效開關性能,減少開關損耗�
- 符合 AEC-Q101 標準,適合汽車級應用�
- 熱穩(wěn)定性強,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
- 具備快速開關速度,適用于 DC-DC 轉換�、逆變器和其他高頻應用�
- 小型封裝設計,節(jié)� PCB 空間�
該器件廣泛用于多種電力電子領域,包括但不限于以下應用�
- 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
- 電機控制和驅動中的功率級元件�
- 各種負載開關應用場景,例如服務器、筆記本電腦和消費類電子設備�
- 汽車電子系統(tǒng)中的功率轉換和負載管��
- 太陽能逆變器和其他可再生能源相關應用中的功率調節(jié)模塊�
BSC067N06NS3G, BSS84