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STD30N06 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 3:10:02 查看 閱讀�10

STD30N06是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(yīng)�。它采用TO-220封裝形式,具有出色的散熱性能�
  STD30N06的主要特點是其額定電壓為60V,最大漏極電流為30A,這使得它在中低壓�(yīng)用領(lǐng)域表�(xiàn)�(yōu)�。此�,該MOSFET還具有快速開�(guān)特性和較低的柵極電荷,能夠有效降低開關(guān)損��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�17nC(典型值)
  總功耗:140W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

STD30N06具備低導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  其快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,特別適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  由于采用了先�(jìn)的制造工藝,該MOSFET能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運�,提高了可靠性和使用壽命�
  STD30N06還具有較強的雪崩能力,可以承受短時間�(nèi)的過載或異常情況,增強了電路的保�(hù)功能�
  此外,其簡單的驅(qū)動要求和兼容性強的特點使其易于集成到各種�(shè)計中�

�(yīng)�

STD30N06廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器和充電器中的主開關(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓�(zhuǎn)換,提供高效的能量傳��
  3. 電機�(qū)動:控制直流無刷電機或步�(jìn)電機的速度和方向�
  4. �(fù)載開�(guān):實�(xiàn)對負(fù)載的快速開啟和�(guān)�,防止浪涌電流損壞下游設(shè)��
  5. 電池管理系統(tǒng):保�(hù)電池免受過充、過放及短路的影��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備:例如PLC控制器和伺服�(qū)動器中的功率級元件�

替代型號

IRF540N, FDP5800, AO3400

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