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BSV52LT1G 發(fā)布時間 時間�2022/12/7 16:44:53 查看 閱讀�954

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�12V

    


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�12V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�400mV @ 5mA, 50mA

    電流 - 集電極截止(最大)�-

    在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�40 @ 10mA, 1V

    功率 - 最大:225mW

    頻率 - �(zhuǎn)換:400MHz

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23

    其它名稱:BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR


資料

廠商
ON Semiconductor

bsv52lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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bsv52lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)12V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)400mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)40 @ 10mA�1V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�400MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR