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BDE0800G-TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 14:31:24 查看 閱讀�33

BDE0800G-TR是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專(zhuān)為高頻和高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,能夠顯著提升功率密度并降低開(kāi)�(guān)損�,適用于工業(yè)、通信和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):BDE0800G-TR
  �(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
  額定電壓�650 V
  額定電流�8 A
  �(dǎo)通電阻:75 mΩ(典型值)
  柵極電荷�45 nC(最大值)
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)10 MHz
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

BDE0800G-TR具有卓越的性能表現(xiàn),主要體�(xiàn)在以下幾�(diǎn)�
  1. 高效率:由于氮化鎵材料的�(dú)特性質(zhì),BDE0800G-TR具備更低的導(dǎo)通電阻和更小的柵極電�,從而大幅減少導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損��
  2. 高頻操作能力:支持高�(dá)10 MHz的開(kāi)�(guān)頻率,使得設(shè)�(jì)人員可以使用更小的無(wú)源元�,�(jìn)一步縮小整體系�(tǒng)尺寸�
  3. 熱穩(wěn)定性:在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能輸出,適用于苛刻的工作條��
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度:相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,其�(kāi)�(guān)速度更快,動(dòng)�(tài)性能更優(yōu)�
  5. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,同�(shí)提高功率密度�

�(yīng)�

BDE0800G-TR廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
  1. 電源管理:適配器、充電器、USB-PD控制器等�
  2. 工業(yè)�(shè)備:DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、光伏逆變器等�
  3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:基站電源、信�(hào)放大器等�
  4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:筆記本電腦快速充電器、無(wú)線充電設(shè)備等�
  5. 汽車(chē)電子:車(chē)載充電器、DC-DC�(zhuǎn)換模塊等�

替代型號(hào)

BDE0600G-TR, BDE1000G-TR

bde0800g-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bde0800g-tr資料 更多>

  • 型號(hào)
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bde0800g-tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�傳感�,轉(zhuǎn)換器
  • 家庭溫度
  • 系列-
  • 感應(yīng)溫度80° C 跳閘�(diǎn)
  • 輸出�(lèi)�低態(tài)有效/�(kāi)漏極
  • 電源電壓2.5 V ~ 5.5 V
  • 精確�±3.5°C
  • 封裝/外殼6-TFSOP�0.063"�1.60mm 寬)�5 引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�5-SSOP
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱(chēng)BDE0800G-DKRBDE0800G-DKR-NDBDE0800GDKR