BDE0800G-TR是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專(zhuān)為高頻和高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,能夠顯著提升功率密度并降低開(kāi)�(guān)損�,適用于工業(yè)、通信和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��
型號(hào):BDE0800G-TR
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
額定電壓�650 V
額定電流�8 A
�(dǎo)通電阻:75 mΩ(典型值)
柵極電荷�45 nC(最大值)
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)10 MHz
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
BDE0800G-TR具有卓越的性能表現(xiàn),主要體�(xiàn)在以下幾�(diǎn)�
1. 高效率:由于氮化鎵材料的�(dú)特性質(zhì),BDE0800G-TR具備更低的導(dǎo)通電阻和更小的柵極電�,從而大幅減少導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損��
2. 高頻操作能力:支持高�(dá)10 MHz的開(kāi)�(guān)頻率,使得設(shè)�(jì)人員可以使用更小的無(wú)源元�,�(jìn)一步縮小整體系�(tǒng)尺寸�
3. 熱穩(wěn)定性:在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能輸出,適用于苛刻的工作條��
4. 快速開(kāi)�(guān)速度:相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,其�(kāi)�(guān)速度更快,動(dòng)�(tài)性能更優(yōu)�
5. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,同�(shí)提高功率密度�
BDE0800G-TR廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
1. 電源管理:適配器、充電器、USB-PD控制器等�
2. 工業(yè)�(shè)備:DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、光伏逆變器等�
3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:基站電源、信�(hào)放大器等�
4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:筆記本電腦快速充電器、無(wú)線充電設(shè)備等�
5. 汽車(chē)電子:車(chē)載充電器、DC-DC�(zhuǎn)換模塊等�
BDE0600G-TR, BDE1000G-TR