BSS123N是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的電流處理能力,非常適合用于開�(guān)電源、負載開�(guān)以及邏輯電平�(qū)動等�(yīng)用。其緊湊的封裝形式使其成為空間受限設(shè)計的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�0.4A
�(dǎo)通電阻:5歐姆
功耗:340mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
具備低導(dǎo)通電阻的特點,從而減少了功率損耗并提高了效率�
其高開關(guān)速度使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
此外,由于其小型化SOT-23封裝,這種MOSFET可以被輕易集成到尺寸敏感的應(yīng)用場景中�
還具有良好的靜電防護性能,確保了在實際操作中的可靠��
通常�(yīng)用于便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)控制�
在電源管理模塊中,作為高效能的開�(guān)元件�
適用于低功率DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保護電路以及信號切換電路等場合�
也常用于各類消費類電子產(chǎn)品如手機、平板電腦和其他手持�(shè)備中�
BSS123, BSS84