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BSS123N 發(fā)布時間 時間�2025/4/24 16:08:14 查看 閱讀�39

BSS123N是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的電流處理能力,非常適合用于開�(guān)電源、負載開�(guān)以及邏輯電平�(qū)動等�(yīng)用。其緊湊的封裝形式使其成為空間受限設(shè)計的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�0.4A
  �(dǎo)通電阻:5歐姆
  功耗:340mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

具備低導(dǎo)通電阻的特點,從而減少了功率損耗并提高了效率�
  其高開關(guān)速度使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  此外,由于其小型化SOT-23封裝,這種MOSFET可以被輕易集成到尺寸敏感的應(yīng)用場景中�
  還具有良好的靜電防護性能,確保了在實際操作中的可靠��

�(yīng)�

通常�(yīng)用于便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)控制�
  在電源管理模塊中,作為高效能的開�(guān)元件�
  適用于低功率DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保護電路以及信號切換電路等場合�
  也常用于各類消費類電子產(chǎn)品如手機、平板電腦和其他手持�(shè)備中�

替代型號

BSS123, BSS84

bss123n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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