BSO307N是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)和放大應(yīng)用中,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�。這種器件適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的電路�(shè)��
該MOSFET采用TO-252封裝形式,能夠承受較高的電壓和電�,并且具備良好的熱性能。由于其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,BSO307N廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:35mΩ
柵極電荷�4.5nC
開關(guān)時間:ton=18ns, toff=22ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
BSO307N擁有較低的導(dǎo)通電阻,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。同時,它的快速開�(guān)能力可以滿足高頻�(yīng)用的需��
該器件還具有出色的雪崩擊穿能力和抗靜電放電(ESD)保護功能,從而增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用��
此外,BSO307N支持表面貼裝技�(shù)(SMD),便于自動化生�(chǎn)和裝配過�,降低了制造成��
該MOSFET適用于多種場�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源中的同步整流
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動電�
4. 負載切換
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模�
這些�(yīng)用都得益于BSO307N高效�、高可靠性的特點�
IRF540N
STP11NM60
FDP158N
AO3400