BSG0810NDIATMA1是一款由英飛凌(Infineon)推出的超小型N溝道增強型MOSFET,采用DFN1010-2封裝形式。這種器件特別適合用于空間受限的應(yīng)用場�,例如便攜式�(shè)備、消費類電子�(chǎn)品以及電源管理模塊等。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�1.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
柵極閾值電壓:1.2V
總功耗:120mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
BSG0810NDIATMA1具備超緊湊的尺寸�(shè)�,僅�1.0mm x 1.0mm,非常適合高密度布局需�。此�,它還擁有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的損��
該產(chǎn)品采用無引腳封裝,可顯著減少寄生電感的影�,并提升整體系統(tǒng)的可靠性。同�,其低導(dǎo)通電阻特性使其在輕載或待機模式下表現(xiàn)出優(yōu)異的效率�(yōu)��
由于采用了濕氣敏感度等級(MSL)為1的設(shè)�,這款MOSFET可以更好地適�(yīng)自動化生�(chǎn)流程中的回流焊工��
這款微型MOSFET廣泛�(yīng)用于多種電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
2. USB端口保護電路
3. 電池供電�(chǎn)品的電源管理
4. LED�(qū)動器
5. 信號切換和邏輯電平轉(zhuǎn)�
6. 消費類音頻設(shè)備中的功率控�
由于其出色的能效表現(xiàn)和小巧體�,BSG0810NDIATMA1成為了許多對空間和能耗有�(yán)格要求場景的理想選擇�
BSS138, AO3400, SI2302DS