BSD5A361V40是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路以及信號放大等領(lǐng)�。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,從而優(yōu)化效率并減少能量損��
這款MOSFET采用先�(jìn)的制造工藝,能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠性,適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:36mΩ
柵極電荷�12nC
開關(guān)�(shí)間:典型�20ns
工作溫度范圍�-55℃至150�
BSD5A361V40的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(36mΩ�,這使得它在高電流�(yīng)用場景下能顯著降低功�。此�,該器件具有非常小的柵極電荷�12nC�,可以實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,從而減少開�(guān)損�。其�(yōu)異的熱性能確保了在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
該MOSFET還具備出色的電氣性能和魯棒�,能夠承受較高的漏源電壓�40V)和較大的持�(xù)漏極電流�5A�。這些特點(diǎn)使它非常適合用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及LED照明等應(yīng)��
BSD5A361V40通常�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. LED�(qū)�(dòng)電路
5. 消費(fèi)電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
6. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號�(diào)節(jié)
由于其高效的開關(guān)特性和低功�,這款MOSFET是眾多高效能�(shè)�(jì)的理想選��
BSD5A362V40
IRFZ44N
FDP5800
AO3400