SE5VRT236是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,適用于多種電源管理�(chǎng)�。其主要用途包括DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)��
型號(hào):SE5VRT236
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.3mΩ
柵極電荷(Qg)�97nC
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
SE5VRT236具備卓越的電氣性能和可靠性。其低導(dǎo)通電阻特性可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)的整體效率。同�(shí),該器件支持高頻操作,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)快速開(kāi)�(guān)的需�。此�,SE5VRT236采用了堅(jiān)固的封裝�(shè)�(jì),增�(qiáng)了散熱性能,使其在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)�(yōu)異�
該MOSFET還具有出色的短路耐受能力和抗電磁干擾性能,確保了系統(tǒng)在復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�。這些特點(diǎn)使得SE5VRT236成為許多高端電源管理和電�(jī)控制�(yīng)用的理想選擇�
SE5VRT236廣泛�(yīng)用于各類(lèi)高功率電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)用于�(dòng)�(tài)電源管理�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
5. 太陽(yáng)能逆變器及電池管理系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)單元�
憑借其�(yōu)秀的性能參數(shù)和可靠�,SE5VRT236可以有效提升上述�(yīng)用的效率和穩(wěn)定��
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L