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BSC047N08NS3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 13:27:48 查看 閱讀�39

BSC047N08NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。這款MOSFET采用了Trench技�(shù),具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于高頻開關應用以及功率�(zhuǎn)換電路中。其封裝形式為SOT223,能夠滿足工�(yè)、汽車及消費類電子產(chǎn)品的多種需��

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�4.7A
  導通電阻:150mΩ
  柵極電荷�19nC
  總電容:680pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

BSC047N08NS3 G 具有較低的導通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率。同時,該器件具備較高的雪崩擊穿能力,增強了其在異常情況下的耐用性�
  BSC047N08NS3 G 的快速開關性能使其非常適合于開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器等高頻應用。此�,其小型化封裝和出色的熱�(wěn)定性也使其成為緊湊型設計的理想選擇�

應用

BSC047N08NS3 G 主要應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動電�
  4. 電池保護系統(tǒng)
  5. 汽車電子控制單元(ECU�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模�

替代型號

BSC048N08NS3 G, BSC047N08NS5 G

bsc047n08ns3 g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsc047n08ns3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC047N08NS3 G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.7 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 90µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs69nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4800pF @ 40V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000436372