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BSC019N06NS 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 4:35:12 查看 閱讀：15

BSC019N06NS 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的 N 灃道開(kāi)關(guān) MOSFET 芯片。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性，適用于要求高性能、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。其額定電壓為 60V，適合于各種工業(yè)和汽車(chē)電子應(yīng)用中的電源管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
　　BSC019N06NS 采用緊湊型封裝設(shè)計(jì)，有助于提高電路板空間利用率，同時(shí)具備卓越的熱性能和電氣性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大連續(xù)漏電流：83A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.9mΩ
　　柵極電荷（典型值）：52nC
　　輸入電容（典型值）：4580pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃
　　封裝類(lèi)型：TO-Leadless (TOLL)

特性

BSC019N06NS 的主要特點(diǎn)是其超低導(dǎo)通電阻，僅為 1.9mΩ（典型值），從而顯著減少了傳導(dǎo)損耗。此外，它還具備快速開(kāi)關(guān)能力，能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
　　器件內(nèi)部集成有 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了芯片的抗靜電能力，使其在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　得益于先進(jìn)的封裝技術(shù)，BSC019N06NS 提供了優(yōu)秀的散熱性能，同時(shí)支持表面貼裝工藝，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和焊接。
　　另外，這款 MOSFET 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并且經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)流程，確保在多種應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。

應(yīng)用

BSC019N06NS 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)車(chē)充電系統(tǒng)以及電池管理系統(tǒng)等需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。
　　由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，該器件非常適合大功率密度的應(yīng)用環(huán)境，如工業(yè)設(shè)備、新能源汽車(chē)和通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源管理部分。
　　同時(shí)，BSC019N06NS 還可以用于負(fù)載切換、續(xù)流二極管替代以及其他功率控制場(chǎng)合。

替代型號(hào)

BSC016N06NSG, IRFZ44N, FDP18N6S

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