EPC16UI88N是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝以實現(xiàn)更低的導通電阻和更高的效�。該器件適用于各種開關電源、電機驅(qū)動和負載切換等應用領�。其設計�(yōu)化了動態(tài)性能和熱特�,能夠在高頻率和大電流條件下�(wěn)定工��
型號:EPC16UI88N
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):80V
RDS(on)(導通電阻)�3.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):50A
Qg(柵極電荷)�35nC
fT(截止頻率)�2.1MHz
封裝形式:TO-247
EPC16UI88N具有低導通電阻和高電流承載能�,使其非常適合用于高效能功率轉換場景。此�,其快速開關速度降低了開關損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
此芯片還具備良好的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的結溫,進一步提升了可靠��
同時,該器件支持多種保護機制,例如過流保護和短路保護,確保在異常情況下系�(tǒng)的安全運��
由于采用了改進的封裝技術,EPC16UI88N擁有更佳的散熱性能,使得其在高溫環(huán)境下的表�(xiàn)依然出色�
EPC16UI88N廣泛應用于工�(yè)和消費電子領�,包括但不限于以下場景:
- 開關模式電源(SMPS)
- DC-DC轉換�
- 電動工具中的電機�(qū)�
- 太陽能逆變�
- 汽車電子系統(tǒng)
- 負載切換和保護電�
憑借其�(yōu)越的電氣特性和可靠�,該器件成為許多高要求應用的理想選擇�
EPC16UI89P, IRFZ44N, FDP5570